TSMC, 2 nanometre (N2) üretim sürecini beklenenden önce devreye alacak. Şirket, 2025 bitmeden hacimli üretime geçmeyi ve aynı teknolojiyi Tayvan’daki tesislerle eş zamanlı olarak Arizona’da da uygulamayı planlıyor. 2nm daha erken geliyor
Yeni N2 süreci, FinFET mimarisinin yerini alan nanosheet tabanlı gate-all-around transistörlerle verimliliği artıracak. Şirket, 2026’nın ikinci yarısında daha gelişmiş N2P sürecine geçerek güç tüketimini azaltmayı hedefliyor.
TSMC yöneticileri, erken deneme üretimlerinde yüksek verim elde edildiğini ve 2026 boyunca üretim hacminin kademeli olarak artacağını açıkladı. Kaçıranlar için N2 teknolojisi, özellikle yapay zekâ hızlandırıcıları ve üst seviye mobil işlemcilerdeki talep artışı sayesinde öne çıkıyor.
Şirketin üçüncü çeyrek gelirleri bir önceki yıla göre yüzde 40’tan fazla artarak 33,1 milyar dolara ulaştı. Gelirin büyük bölümünü N3, N5 ve N7 süreçlerinden gelen gelişmiş üretim teknolojileri oluşturdu. Bu büyümeyle birlikte TSMC, 2025 için 42 milyar dolara kadar yatırım planlıyor.
Arizona’daki Fab 21 tesisinde N4 üretimi halihazırda başlamış durumda. TSMC, burada önce N3 teknolojisini devreye alacak, ardından N2 sürecini planlanandan daha erken başlatacak. Şirket, bu yatırımı ABD’de bağımsız ve ileri seviye bir yarı iletken üretim kümesi oluşturmanın ilk adımı olarak görüyor.
Yeni fabrika modüllerinin inşasının yıl sonuna kadar başlaması bekleniyor. Bu tesis tamamlandığında, TSMC’nin 2 nm ve daha ileri teknolojilere dayalı üretiminin yaklaşık yüzde 30‘u ABD’de yapılacak.
